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CYNSE70032
周期
1
CLK2X
周期
2
周期
3
周期
4
周期
5
周期
6
PHS_L
CMDV
CMD [1：0 ]
CMD [8： 2]
写
A
B
DQ
OE_L
WE_L
CE_L
ALE_L
萨德尔
地址
x
x
x
1
0
0
0
地址
0
1
1
1
z
确认
SSV
SSF
z
0
0
TLSZ = 00 ， HLAT = 000 ， LRAM = 1 ， LDEV = 1
图15-8 。 SRAM写访问（ TLSZ = 00 ， HLAT = 000 ， LRAM = 1 ， LDEV = 1 ）
15.7
SRAM写一个表最多8个器件
下面解释经由多达八个设备具有以下参数的表（多个）进行的SRAM的写入操作：
TLSZ = 01这个表的示意图示于
图15-9 。
下面假设SRAM访问得到通过完成
CYNSE70032设备号0 。
图15-10
和
图15-11
为显示设备号0和设备的时序图
号7。
周期1A ：
主机采用ASIC对CMD的写指令[ 1 ： 0 ]使用CMDV = 1， DQ总线提供的地址，用
DQ [二十点19 ]设置为10，以选择SRAM地址。主机ASIC选择设备该ID [ 4 ： 0 ]匹配DQ [ 25:21 ]
线。 [ 6 8 ]在这个周期主机ASIC还提供萨德尔[ 21:19 ]在CMD 。
记
。 CMD [2]必须被设置为0的SRAM写入，
因为脉冲串写入到SRAM中不被支持。
循环1B ：
主机ASIC继续适用的写指令对CMD [ 1 ： 0 ]使用CMDV = 1， DQ总线供应
地址，与DQ [ 20:19 ]设置为10 ，选择SRAM地址。
记
。 CMD [2]必须被设置为0的SRAM写入，因为突发
写入到SRAM中不被支持。
循环2 ：
主机专用集成电路继续驱动的DQ [67 ：0] 。在这个周期中的数据不被使用的CYNSE70032 。
循环3 ：
主机专用集成电路继续驱动的DQ [67 ：0] 。在这个周期中的数据不被使用的CYNSE70032 。
在周期3的端部，一个新的命令就可以开始。写是流水线操作;然而，在写入周期出现在
具有相同的等待时间作为搜索指令SRAM的总线（如从Write指令的第二个周期测量）。
文件编号： 38-02042牧师* E
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