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CYIH1SM1000AA-HHCS
5.7环境与耐久性测试
5.7.1上电和光电测量
环境试验完成
该参数可以在环境完成测
测试定于
表11
第21页除非另有
说明，测量应在环境中进行
温度为22 ±3 ℃。暗电流的测量必须
在22 ±1 ℃，并在实际的环境温度下进行
必须报告的试验结果。
5.7.2电气和光电测量在
耐久试验过程中的中间点
该参数可以在中间点期间测量
环境试验耐久试验，预计在
表11
除非另有说明第21页上的测量应
可以在22 ±3 ℃的环境温度下进行
在完成5.7.3电气和电子光学测量
耐久试验的
该参数要在耐力的测量完成
测试定于
表11
第21页除非另有
说明，测量应在环境中进行
的22 ±3℃的温度
5.7.4条件工作寿命试验
操作寿命试验条件，在被指定为
表10
本规范第21页。
5.7.5电气线路的工作寿命试验
电路用于执行该操作的寿命试验中显示
科幻gure
48
在第63页和本规范的下一个的。
5.7.6条件高温储存试验
所施加的温度应为最大的存储
在规定的温度
表2
本规范第9页。
TEST
晶圆处理数据回顾
SEM
总剂量测试
耐久性试验
测试方法
PID
ESCC 21400
ESCC 22900
MIL-STD-883
方法1005
5.8总剂量辐射测试
5.8.1应用
总剂量辐照试验按照执行
与ESCC基本规范22900的要求。
5.8.2参数漂移值
总剂量辐照后的允许参数漂移值
列于
表8
第19页上显示的参数是有效的
后的总剂量42KRad和168小时/ 100℃下退火。
5.8.3偏置条件
连续偏置应照射测试，过程中应用
所示
图48
第63页，这specifi-旁边的人在
阳离子。
5.8.4电气和光电测量
的参数进行测量，之前，期间和上
照射结束列于
表13
第24页上的
本说明书中。只有符合规范的设备
表4
页上的本说明书中的14应包括在
试验样品。
5.9批量验收和筛选
这一段描述了批验收测试（ LAT ）和
筛选上拥有FM设备。在设备级所有测试
要在放映设备上执行（见
表5.9.6
在页
7).
5.9.1晶圆地段验收
这是在硅晶片大量的接受。这有可能
在每个晶圆批次将被用于飞行的组装完成
模型。
设备数量
NA
4裸模
3器件
6设备
测试条件
NA
NA
42拉德： 1krad /小时
2000H在125
测试地点
CY
测试机构
由CY ESTEC
测试机构
以前，总剂量试验和耐久试验后：
■
5.9.2玻璃批量验收
被传送出去，传输和反射率曲线
每批应与规格进行比较
表，
“玻璃盖规范”
第10页
3玻璃盖应随机从抽签，并将于
详细测量。所有得到的结果将与被比较
图5
第27页。
之前和之后的电气测量在高，低和房间
温度。符合
表4
第14页和
表5
在页
15,Table
6
本规范第16页。
之前和之后的视觉检查
前后详细的电子光学测量
■
■
文件编号： 001-54123修订版**
第71 5
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