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CY8CLED04D01 ， CY8CLED04D02 ， CY8CLED04G01
CY8CLED03D01 ， CY8CLED03D02 ， CY8CLED03G01
CY8CLED02D01 ， CY8CLED01D01
15.3电源外设低端N沟道FET
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V ，
T
J
和115 ℃下的额定工业设备4.75 V至5.25 V ，T
J
125°C的扩展温度等级的设备。典型参数
适用于5 V在25℃ 。这些仅作为设计指导。
表15-4 。低端N沟道FET的DC规格
符号
V
DS
V
DS ， INST
I
D
I
DMAX
描述
经营漏极至源极电压
瞬时漏源电压
平均漏电流
最大瞬时脉冲重复
当前
民
–
–
–
–
–
–
典型值
–
–
–
–
–
–
最大
32
36
1
0.5
3
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
CY8CLED04 / 3/2 / 1D01设备
CY8CLED04 / 3D02设备
小于33 ％的占空比为一个
1 A的平均电流，
f
SW
= 0.1兆赫。
CY8CLED04 / 3/2 / 1D01设备
小于33 ％的占空比为一个
0.5 A的平均电流，
f
SW
= 0.1兆赫。 CY8CLED04 / 3D02
器件
I
D
= 1 A， GDV
DD
= 5 V ，T
J
= 25 °C
CY8CLED04 / 3/2 / 1D01设备
I
D
= 0.5 A ， GDV
DD
= 5 V ，T
J
= 25 °C
CY8CLED04 / 3D02设备
T
J
= 25 °C
T
J
½
115 ° C（工业级）和T
J
½
125°C （扩展温度
额定）
f
SW
= 2 MHz的
笔记
R
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
–
–
–
–
–
–
0.5
1
10
250
A
A
I
DSS
交换节点保护地漏
–
–
I
SFET
每个通道的电源电流 - FET （内部栅极
驱动程序）
–
–
6.25
mA
表15-5 。低端N沟道FET交流规范
符号
t
R
t
F
上升时间
下降时间
描述
民
–
–
典型值
–
–
最大
20
20
单位
ns
ns
笔记
I
D
= 1 ，R
D
= 32
I
D
= 1 ，R
D
= 32
图15-2 。低端N沟道FET测试电路的I
DSS ，
t
R和
t
F
R
D
I
D
R
G
V
输入
V
G
文件编号： 001-46319修订版* M
第32页55
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