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的PSoC
3 ： CY8C38系列
数据表
5.内存
5.1静态RAM
CY8C38的SRAM用于临时数据存储。截至8 KB
的SRAM被提供，并且可以由8051或访问
DMA控制器。看
存储器映射
第24页上的同时
的SRAM由8051和DMA控制器访问是可能
如果不同的4 KB的块访问。
安全性是需要在应用程序中。 PSoC器件还
提供了一项名为器件安全性的高级安全功能，
永久禁用所有测试，编程和调试端口，
保护您的应用程序从外部访问（见
“设备安全”
第62页部分） 。欲了解更多信息
关于如何利用的安全功能充分利用在
的PSoC ，请参阅
的PSoC 3 TRM 。
表5-1 。 Flash保护
保护
环境
无保护
工厂
升级
允许
外部读取和写入 -
+内部读取和写入
写入外部+内部
读取和写入
外部读
外部读取和
写
外部读取和
写+内部写
不允许
5.2闪存程序存储器
在PSoC器件的Flash内存提供非易失性存储
用户固件，用户配置数据，批量数据存储，并
可选ECC数据。主要的闪存区包含多达
64 KB的用户程序空间。
可额外8 KB闪存空间可用于ECC 。如果
未使用ECC，该空间可以存储装置的配置数据
和批量用户数据。用户代码可能不会用完的ECC
闪存部分。 ECC可以纠正1比特的错误和检测
每8个字节固件存储器的两位错误;中断可以
在检测到错误时生成。
闪光灯被读入的行单位;每一行是9个字节宽8
数据字节和ECC数据1字节。当行被读取时，
数据字节被复制到一个8字节的指令缓冲器。该CPU
从这个缓冲区中获取它的指令，以提高CPU
性能。
闪存编程是通过一种特殊的接口来执行，
抢占代码执行了闪光灯。闪存编程
接口执行闪存擦除，编程，并设置代码
保护级别。 Flash在系统串行编程（ ISSP ）
通常用于生产编程，有可能通过
无论是SWD和JTAG接口。在系统编程，
通常用于引导加载，也可以用串行
如I接口
2
C， USB，UART和SPI ，或任何
通信协议。
现场升级的内部读写
充分保护内部阅读
放弃
需要注意的闪存代码下面的详细信息保护功能的
赛普拉斯设备。
赛普拉斯的产品均满足规范的
赛普拉斯数据表。赛普拉斯认为其家人
产品是同类产品中的最安全的家庭之一
今天的市场，不管它们是如何使用的。有可能是
方法，默默无闻地龙柏，能够破坏代码
保护功能。任何这些方法，就我们所知，
将恶意，甚至是非法的。无论是赛普拉斯，任何
其他半导体厂商均无法保证安全
他们的代码。代码保护并不意味着我们
保证产品是“牢不可破” 。赛普拉斯愿意
与谁在关注诚信的客户合作
他们的代码。代码保护功能处于持续发展中。我们在赛普拉斯
承诺将不断改进代码保护
我们产品的特点。
5.3闪存安全
所有的PSoC器件还包括一个灵活的闪存保护模型
防止片上闪存存储器存取和知名度。这
防止重复或专有代码的逆向工程。
闪速存储器被组织成块，其中每个块包含
256字节的程序或数据，并且32个字节的ECC或
配置数据。总共有多达256块设置在
64 KB的闪存器件。
该器件提供分配四个保障之一的能力
水平的闪光的每一行。
表5-1
列出了保护模式
可用。闪存保护级别，只能通过改变
执行一个完整的闪存擦除。充分保护和现场
升级设置禁止外部访问（通过调试
工具如PSoC Creator中，例如） 。如果您的应用程序
通过引导程序代码需要更新，然后使用领域
升级设置。只有当不使用未受保护的设置
5.4 EEPROM
的PSoC EEPROM存储器是按字节寻址的非易失性
内存。该CY8C38提供了高达2 KB的EEPROM存储器
存储用户数据。从EEPROM中读取是在随机访问
字节级。读是直接完成;写操作通过发送完成
写命令到EEPROM编程接口。中央处理器
执行代码可以从闪存继续在EEPROM中写道。
EEPROM的擦除和写入的行级。该
EEPROM被分成128个行，每行16个字节。该CPU
不能在EEPROM中执行。没有任何ECC硬件
与EEPROM相关联。如果需要ECC，必须处理
在固件中。
文件编号： 001-11729修订版* R
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