的PSoC
3 ： CY8C32系列
数据表
表11-47 。 EEPROM交流规范
参数
描述
条件
单列擦除/写周期时间
T
写
EEPROM数据保留时间，保留平均环境温度，T
A
≤
25 °C,
从去年擦除周期1M擦除/编程周期测量周期
平均环境温度，T
A
≤
55 °C,
100多K的擦除/编程周期
平均环境温度。
T
A
≤
85°C ， 10 K擦除/编程
周期
11.4.3非易失性锁存器（ NVL ） ）
表11-48 。 NVL直流规范
参数
描述
擦除和编程电压
表11-49 。 NVL交流规范
参数
描述
NVL耐力
条件
程序在25℃下
民
1K
典型值
–
最大
–
单位
计划/
抹去
周期
计划/
抹去
周期
岁月
岁月
V
DDD
针
条件
民
1.71
典型值
–
最大
5.5
单位
V
民
–
20
20
10
典型值
2
–
–
–
最大
20
–
–
–
单位
ms
岁月
在0℃下编程为70℃
100
–
–
NVL数据保留时间
程序在25℃下
在0℃下编程为70℃
20
20
–
–
–
–
11.4.4 SRAM
表11-50 。 SRAM DC规格
参数
V
SRAM
描述
SRAM保持电压
条件
民
1.2
典型值
–
最大
–
单位
V
表11-51 。 SRAM交流规范
参数
F
SRAM
描述
SRAM的工作频率
条件
民
DC
典型值
–
最大
50.01
单位
兆赫
文件编号： 001-56955修订版*
119第95页
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