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CY8C21634B , CY8C21534B , CY8C21434B
CY8C21334B , CY8C21234B
直流编程规范
表19
列出了许可的最大和最小规格电压和温度范围: 4.75 V至5.25 V和
–40
°C
T
A
85
°C,
3.0 V至3.6 V和-40
°C
T
A
85
°C,
或2.4 V至3.0 V和-40
°C
T
A
85
°C,
分别。典型参数
在5 V ,25测量, 3.3 V或2.7 V
°C
而仅作为设计指导。
表19.直流编程规范
符号
V
DDP
V
DDlV
V
DDHV
V
DDIWRITE
I
DDP
V
ILP
V
国际水文计划
I
ILP
I
国际水文计划
V
OLV
V
OHV
FL灰
ENPB
FL灰
耳鼻喉科
FL灰
DR
描述
V
DD
用于编程和擦除
低V
DD
为验证
高V
DD
为验证
电源电压闪存写入操作
4.5
典型值
5
最大
5.5
单位
V
笔记
本规范适用于
外部功能需求
编程工具
本规范适用于
外部功能需求
编程工具
本规范适用于
外部功能需求
编程工具
本规范适用于本
当其执行时内部设备
闪存写入
2.4
2.5
2.6
V
5.1
5.2
5.3
V
2.7
5.25
V
供电电流在编程或验证
输入低电压编程或验证期间
编程过程中输入高电压或
VERIFY
采用V时输入电流
ILP
到P1 [0]或
P1 [1]编程或验证期间
采用V时输入电流
国际水文计划
到P1 [0]或
P1 [1]编程或验证期间
编程时输出低电压或
VERIFY
编程时输出高电压或
VERIFY
闪存耐久性(每块)
闪存耐久性(总)
[15]
闪存数据保留
2.2
V
DD
– 1.0
50,000
[14]
1,800,000
10
5
25
0.8
0.2
1.5
V
SS
+ 0.75
V
DD
mA
V
V
mA
mA
V
V
岁月
擦/写每块循环
擦/写周期
驱动内部下拉电阻
驱动内部下拉电阻
DC I
2
C规格
表20
列出了许可的最大和最小规格电压和温度范围: 4.75 V至5.25 V和
–40
°C
T
A
85
°C,
3.0 V至3.6 V和-40
°C
T
A
85
°C,
或2.4 V至3.0 V和-40
°C
T
A
85
°C,
分别。典型参数
在5 V ,25测量, 3.3 V或2.7 V
°C
而仅作为设计指导。
表20. DC I
2
C规格
[16]
符号
V
ILI2C
V
IHI2C
输入低电平
输入高电平
描述
0.7 × V
DD
典型值
最大
0.3 × V
DD
0.25 × V
DD
单位
V
V
V
笔记
2.4 V
V
DD
3.6 V
4.75 V
V
DD
5.25 V
2.4 V
V
DD
5.25 V
笔记
每块14, 50000周期闪存耐用性才能得到保证,如果闪光灯在一个电压范围内工作。电压范围为2.4 V至3.0 V, 3.0 V至3.6 V ,
和4.75 V至5.25 V
15.最大的36 × 50000块的读写周期是允许的。这可能操作之间对每个最大50000次循环36 × 1块是平衡的, 36 × 2
每25000最大周期,或每个( 12500最大周期36 ×4块的块,以循环的总数限制在36× 50000 ,并确保没有
单块曾经看到超过50000次循环) 。对于全产业范围内,你必须利用温度传感器用户模块( FlashTemp),并喂结果
写作前的温度参数。请参考闪存API应用笔记
AN2015
(设计辅助 - 读取和写入PSoC
闪光灯)了解更多信息。
16.所有GPIO满足直流GPIO规范路段发现直流GPIO VIL和VIH规范。在我
2
C的GPIO引脚也符合上述规格。
文件编号: 001-67345修订版**
第24页47
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