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CY8C20134 , CY8C20234 , CY8C20334
CY8C20434 , CY8C20534 , CY8C20634
文档历史记录页
文档标题:
CY8C20134 , CY8C20234 , CY8C20334 , CY8C20434 , CY8C20534 , CY8C20634的PSoC
可编程系统级芯片
文档编号: 001-05356
调整
**
*A
ECN
404571
418513
原稿。的
变化
HMT
HMT
服从
日期
见ECN
见ECN
变化的说明
新的硅和文档(修订版** ) 。
更新电气规格,包括存储温度和
最大输入时钟频率。更新的功能和模拟系统
概述。改进的32引脚QFN封装的E- PAD尺寸。增加了新的32引脚QFN封装。
添加高输出驱动器指示灯全部P1 [ X]引脚。更新的商标。
制作数据表“最终” 。增加了新的开发工具部分。加入OCD
引脚和封装图。增加了16引脚QFN封装。更新了24针和32针
QFN封装图0.60最大厚度。从商业变更为
工业级温度范围。更新存储温度规格,
注释。更新的热阻数据。增加了开发工具包的一部分
号。 Finetuned特性和电气特性。
新增的CapSense SNR要求的参考。增加了低功耗比较器
( LPC )的AC / DC电气规格表。增加了2.7V的最小规格
系统蒸发散。最新的数字标准。更新的技术培训段落。额外
QFN封装的澄清和尺寸。更新ECN -ED艾克尔维度
sioned QFN封装图修改。
更新的24引脚QFN封装的Theta JA 。添加外部复位脉冲宽度, TXRST ,
规范。固定的48针QFN.vsd 。更新了表,并引进高
输出电压,说明在第2 。一句话: "Exceeding最大
评分可缩短设备的电池寿命。 “并不适用于所有
数据表。因此,这个词"battery"改为"useful 。 “掏出标签
后在titles表和图号,并添加两个硬盘空间。更新
一节,
第18页上的直流GPIO规范
新文本。更新VOH5
和VOH6说, “高输出电压,端口1引脚与3.0V LDO稳压器
Enabled(启用) 。 “更新VOH7和VOH8与文本”,最多不超过20 mA输出
目前在所有的I / O 。 “新增28引脚SSOP封装部分,引脚,封装。更新规范。
修改开发。工具零件号。
增加了32引脚QFN锯材引脚图
除去包图: 32引脚( 5 × 5mm)的锯材QFN ( 001-42168 * A)
更新订购信息表CY8C20434-12LQXI和
CY8C20434-12LQXIT订购细节。
更正表16.直流编程规范 - 包括上表
"Flash耐力和保留的规格与使用EEPROM的
用户模块只适用于以下范围内: 25℃ +/-闪存中20C
写操作。请参阅该EEPROM用户模块数据表说明
的25℃ +/- 20 ° C的温度外EEPROM闪存写入要求
window."
纠正订购信息格式。更新包图001-13937
和001-30999 。更新的数据表模板。更正图6 ( 28针
图)。
更新V
OH5
, V
OH7
和V
OH9
特定网络阳离子
从改变后的PSoC称号
混合信号阵列的PSoC
可编程
系统级芯片
对于32引脚QFN锯材更换封装外形图
更新
“开发工具选择”
第36页
更新
“开发工具”
第5页和
“用设计的PSoC Designer ”
第6页
更新
“入门”
第4页
更新了芯片级的交流,以及交流编程规范如下:
改进的F
IMO6
(第20页) ,T
规格(第23页)添加了我
OH
, I
OL
(第17页) ,闪存耐用性说明(第19页) , DCILO (第20页) , F32K_U (页面
20), T
POWERUP
(第20页) ,T
EraseAll
(第23页) ,T
PROGRAM_HOT
(第24页)
和T
PROGRAM_COLD
(第24页)规格
新增AC SPI主机和从机规格
添加了30球WLCSP封装
*B
490071
HMT
见ECN
*C
788177
HMT
见ECN
*D
1356805 HMT / SFVTM
P3/HCL/SFV
见ECN
*E
2197347
UVS / AESA
见ECN
*F
*G
*H
2542938 RLRM / AESA
2610469
2693024
SNV / PYRS
DPT / PYRS
07/30/2008
11/20/08
04/16/2009
*I
2717566 DRSW / AESA
06/11/2009
文件编号: 001-05356修订版* N
第45页47
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