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CY8C20134 ， CY8C20234 ， CY8C20334
CY8C20434 ， CY8C20534 ， CY8C20634
工作温度
表11.工作温度
符号
T
A
T
J
描述
环境温度
结温
民
–40
–40
典型值
–
–
最大
+85
+100
单位
°C
°C
笔记
从升温
环境温度到结包
具体的。看
表16
第21页。
用户必须限制
的功率消耗，以
符合这一要求。
DC电气特性
DC芯片级规范
表12
列出了许可的最大和最小规格电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V和
–40 °C
T
A
85°C ， 3.0V至3.6V和-40°C
T
A
85°C ，或2.4 V至3.0 V和-40°C
T
A
85°C ，分别。典型参数
适用于5 V ， 3.3 V或2.7 V在25 ℃。这些仅作为设计指导。
表12.直流芯片级规范
符号
V
DD
I
DD12
I
DD6
I
SB27
I
SB
描述
电源电压
电源电流， IMO = 12 MHz的
电源电流， IMO = 6 MHz的
睡眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠
定时器，WDT和内部慢速振荡器活动。
中间温度范围。
睡眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠
定时器，WDT和内部慢速振荡器活动。
民
2.40
–
–
–
–
典型值
–
1.5
1
2.6
2.8
最大
5.25
2.5
1.5
4
5
单位
V
mA
mA
A
A
笔记
SEE
表21页16 。
条件是V
DD
= 3.0 V,
T
A
= 25 ℃， CPU = 12兆赫。
条件是V
DD
= 3.0 V,
T
A
= 25 ℃， CPU = 6MHz的
V
DD
= 2.55 V， 0 ℃，
T
A
40 °C
V
DD
= 3.3 V ， -40°C
T
A
85 °C
直流GPIO规范
除非另有说明，否则
表13
列出了许可的最大和最小规格电压和温度范围：
4.75 V至5.25 V和-40°C
T
A
85°C ， 3.0 V至3.6 V和-40°C
T
A
85°C ，或2.4 V至3.0 V和-40°C
T
A
85°C ，分别。
典型参数适用于5 V ， 3.3 V和2.7 V在25 ℃。这些仅作为设计指导。
表13. 5 - V和3.3 V直流GPIO规范
符号
R
PU
V
OH1
V
OH2
V
OH3
V
OH4
V
OH5
V
OH6
V
OH7
V
OH8
描述
上拉电阻
高输出电压
端口0 ， 2 ，或3针
高输出电压
端口0 ， 2 ，或3针
高输出电压
P1口与LDO稳压器禁用
高输出电压
P1口与LDO稳压器禁用
高输出电压
P1口与3.0 V LDO稳压器启用
高输出电压
P1口与3.0 V LDO稳压器启用
高输出电压
P1口与2.4 V LDO稳压器启用
高输出电压
P1口与2.4 V LDO稳压器启用
民
4
V
DD
– 0.2
V
DD
– 0.9
V
DD
– 0.2
V
DD
– 0.9
2.7
2.2
2.1
2.0
典型值
5.6
–
–
–
–
3.0
–
2.4
–
最大
8
–
–
–
–
3.3
–
2.7
–
单位
k
V
V
V
V
V
V
V
V
笔记
I
OH
10 μA ，V
DD
3.0 V，最大
在所有的I / O 20毫安源电流。
I
OH
= 1毫安， V
DD
3.0V，最大的
20毫安源电流的所有I / O 。
I
OH
< 10 μA ，V
DD
3.0 V，最大
在所有的I / O 10毫安源电流。
I
OH
= 5毫安， V
DD
3.0V，最大的
20毫安源电流的所有I / O 。
I
OH
< 10 μA ，V
DD
3.1 V，最大
4个I / O的所有输出5mA电流。
I
OH
= 5毫安， V
DD
3.1 V，最大
20毫安源电流的所有I / O 。
I
OH
< 10 μA ，V
DD
3.0 V，最大
在所有的I / O 20毫安源电流。
I
OH
< 200 μA ，V
DD
3.0 V，最大
在所有的I / O 20毫安源电流。
文件编号： 001-05356修订版* N
第18页47
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