CY8C20134 ， CY8C20234 ， CY8C20334
CY8C20434 ， CY8C20534 ， CY8C20634
直流编程规范
表17
列出了保证最低和最高规格的电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V和
–40 °C
≤
T
A
≤
85°C ， 3.0 V至3.6 V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或2.4 V至3.0 V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型的参
ETERS适用于5 V ， 3.3 V或2.7 V在25 ℃。这些仅作为设计指导。闪存耐力和保留规范的
使用EEPROM用户模块的有效范围仅限于范围： 25℃ +/-闪存写入操作过程中20C 。引用
对于25 ℃的+/- 20 ° C的温度外EEPROM闪存写入EEPROM要求用户模块数据表说明
窗口。
表17.直流编程规范
符号
V
DDP
V
DDlV
V
DDHV
描述
V
DD
用于编程和擦除
低V
DD
为验证
高V
DD
为验证
民
4.5
典型值
5
最大
5.5
单位
笔记
V
本规范适用于
的功能要求
外部编程工具
V
本规范适用于
的功能要求
外部编程工具
V
本规范适用于
的功能要求
外部编程工具
V
本规范适用于本
当它被执行装置
内部闪存写入
mA
V
V
mA
mA
V
V
–
擦/写每块周期。
–
擦除/写周期。
岁月
驱动内部下拉
电阻器。
驱动内部下拉
电阻器。
2.4
2.5
2.6
5.1
5.2
5.3
V
DDIWRITE
电源电压闪存写入操作
I
DDP
V
ILP
V
国际水文计划
I
ILP
I
国际水文计划
V
OLV
V
OHV
FL灰
ENPB
FL灰
耳鼻喉科
FL灰
DR
2.7
–
5.25
供电电流在编程或验证
–
编程过程中输入低电压或
–
VERIFY
编程过程中输入高电压或
2.2
VERIFY
采用V时输入电流
ILP
到P1 [0]或
–
P1 [1]编程或验证期间
采用V时输入电流
国际水文计划
到P1 [0]或
–
P1 [1]编程或验证期间
编程时输出低电压或
–
VERIFY
编程或V时输出高电压
DD
– 1.0
VERIFY
闪存耐久性（每块）
50,000
[17]
闪存耐久性（总）
[16]
1,800,000
闪存数据保留
10
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
25
0.8
–
0.2
1.5
V
SS
+ 0.75
V
DD
–
–
–
笔记
16.最大的36 × 50000块的读写周期是允许的。这是在36 × 1块，每块最大50000次循环， 36 × 2块操作之间的平衡
每25000最大循环或每12500次循环的最大36× 4的块（以循环的总数限制在36× 50000 ，并且没有单个块过
看到超过50000次循环） 。
每块17， 50000周期闪存耐用性才能得到保证，如果闪光灯在一个电压范围内工作。电压范围为2.4 V至3.0 V， 3.0 V至3.6 V
和4.75 V至5.25 V
文件编号： 001-05356修订版*○
第22页47
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