位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1129页 > CY8C20234-12LKXA > CY8C20234-12LKXA PDF资料 > CY8C20234-12LKXA PDF资料4第13页
CY8C20234
DC模拟参考规格
表9
列出了许可的最大和最小规格电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V和
–40
°C
≤
T
A
≤
85
°C
或3.0 V至3.6 V和-40
°C
≤
T
A
≤
85
°C,
分别。典型参数适用于5 V或3.3 V ，25
°C.
这些
仅供设计参考。
表9. DC模拟参考规格
符号
BG
描述
带隙基准电压
民
1.274
典型值
1.30
最大
1.326
单位
V
笔记
直流编程规范
表10
列出了保证最低和最高规格的电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V和
–40 °C
≤
T
A
≤
85 ° C或3.0 V至3.6 V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数适用于5 V或3.3 V在25 ℃。这些
仅供设计参考。闪存耐久性和保留规范与使用EEPROM用户模块是有效的唯一
的范围内： 25℃ ± 20℃的Flash写操作过程中。请参考该EEPROM用户模块数据表说明
在25 ° C± 20 ° C的温度窗口外EEPROM闪存写入要求。
表10.直流编程规范
符号
V
DDP
V
DDlV
V
DDHV
描述
V
DD
用于编程和擦除
低V
DD
为验证
高V
DD
为验证
民
4.5
典型值
5
最大
5.5
单位
笔记
V
本规范适用于
的功能要求
外部编程工具
V
本规范适用于
的功能要求
外部编程工具
V
本规范适用于
的功能要求
外部编程工具
V
本规范适用于本
当它被执行装置
内部闪存写入
mA
V
V
mA
mA
V
V
–
擦/写每块周期。
–
擦除/写周期。
岁月
驱动内部下拉
电阻器。
驱动内部下拉
电阻器。
3.0
3.1
3.2
5.1
5.2
5.3
V
DDIWRITE
电源电压闪存写入操作
I
DDP
V
ILP
V
国际水文计划
I
ILP
I
国际水文计划
V
OLV
V
OHV
FL灰
ENPB
FL灰
耳鼻喉科
FL灰
DR
供电电流在编程或验证
编程过程中输入低电压或
VERIFY
编程过程中输入高电压或
VERIFY
采用V时输入电流
ILP
到P1 [0]或
P1 [1]编程或验证期间
采用V时输入电流
国际水文计划
到P1 [0]或
P1 [1]编程或验证期间
编程时输出低电压或
VERIFY
编程时输出高电压或
VERIFY
闪存耐久性（每块）
[8]
闪存耐久性（总）
[9]
闪存数据保留
3.0
–
5.25
–
–
2.2
–
–
–
V
DD
– 1.0
1,000
128,000
10
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
25
0.8
–
0.2
1.5
0.75
V
DD
–
–
–
笔记
8.每个块的擦除/写周期极限（闪存
ENPB
）如果设备在一个电压范围内工作，才能保证。电压范围为3.0 V至3.6 V和4.75 V至
5.25 V.
9.允许的擦除/写入周期的最大总数目为最小闪光
ENPB
值乘以闪存块中的设备的数目。
文件编号： 001-54650修订版* E
第13页共30
[+ ]反馈
