位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第671页 > CY7C60323-PVXC > CY7C60323-PVXC PDF资料 > CY7C60323-PVXC PDF资料2第17页
CY7C603xx
DC电气特性
DC芯片级规范
表9
名单最大和最小规格为电压和温度范围： 3.0 V至3.6 V和
0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C,
或2.4 V至3.0 V和0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C,
分别。典型参数适用于3.3 V或2.7 V ，25
°C
并
仅供设计参考。
表9. DC芯片级规范
参数
VDD
I
DD3
电源电压
电源电流， IMO = 6 MHz的使用SLIMO
模式。
描述
民
2.40
–
典型值
–
1.2
最大
3.6
2
单位
V
mA
笔记
SEE
表20页16 。
条件是VDD = 3.3 V ，
T
A
= 25 ℃， CPU = 3 MHz的时钟
倍频器禁用。 VC1 = 375千赫，
VC2 = 23.4千赫， VC3 = 0.091千赫。
条件是VDD = 2.55 V，
T
A
= 25 ℃， CPU = 3 MHz的时钟
倍频器禁用。 VC1 = 375千赫，
VC2 = 23.4千赫， VC3 = 0.091千赫。
VDD = 2.55 V， 0 ℃， <T
A
< 40℃。
VDD = 3.3 V ， 0 ℃， <T
A
< 70 ℃。
修剪合适的VDD。
VDD = 3.0 V至3.6 V.
修剪合适的VDD。
VDD = 2.4 V至3.0 V.
I
DD27
电源电流， IMO = 6 MHz的使用SLIMO
模式。
–
1.1
1.5
mA
I
SB27
I
SB
V
REF
V
REF27
AGND
睡眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠
定时器，WDT和内部慢速振荡器
活跃的。中间温度范围。
睡眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠
定时器，WDT和内部慢速振荡器
活跃的。
参考电压（带隙）
参考电压（带隙）
模拟地
–
2.6
4.
A
–
2.8
5
A
1.28
1.16
V
REF
–
0.003
1.30
1.30
V
REF
1.32
1.33
V
REF
+
0.003
V
V
V
直流GPIO规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 3.0 V至3.6 V和
0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C,
或2.4 V至3.0 V和0
°C
＆ LT ;吨
A
< 70
°C,
分别。典型参数适用于3.3 V和2.7 V ，25
°C
和
仅供设计参考。
表10. 3.3 V直流GPIO规范
参数
R
PU
R
PD
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
V
IL
V
IH
V
H
I
IL
C
IN
C
OUT
上拉电阻
下拉电阻
高输出电平
低输出电平
高级源电流
低电平灌电流
输入低电平
输入高电平
输入滞后
输入漏电流（绝对值）
对引脚作为输入容性负载
对引脚作为输出容性负载
描述
民
4
4
VDD }
1.0
–
3
10
–
2.1
–
–
–
–
典型值
5.6
5.6
–
–
–
–
–
–
60
1
3.5
3.5
–
–
10
10
最大
8
8
–
0.75
–
–
0.8
单位
k
k
V
V
mA
mA
V
V
mV
nA
pF
pF
格罗斯测试1
A.
取决于封装和引脚。
温度= 25°C 。
取决于封装和引脚。
温度= 25°C 。
VDD = 3.0 3.6 。
VDD = 3.0 3.6 。
I
OH
= 3毫安， V
DD
> 3.0 V
I
OL
= 10 mA时， V
DD
> 3.0 V
笔记
文件编号： 38-16018牧师* L
第17页39
[+ ]反馈
