CY7C106BN
256K ×4的静态RAM
特点
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功能说明
该CY7C106BN是一个高性能CMOS静态RAM
4位组织为262,144字。易内存扩展
由低电平有效的芯片提供使能（CE ） ，有源低
输出使能（ OE ）和三态驱动器。这些设备有一个
自动断电功能，可降低功耗
由65％以上时，装置将被取消选择。
写入设备被以芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在这四个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
3
）然后被写入到指定的位置
在地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写使能
（ WE） HIGH 。存储器的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的位置上会出现的四个I / O的
销。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个高
阻抗，当设备被取消（ CE HIGH）状态，
输出被禁用（ OE高） ，或写操作过程中
（ CE和WE LOW ） 。
该CY7C106BN可在一个标准的400密耳宽SOJ 。
高速
t
AA
- 15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
495毫瓦
低待机功耗
275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
取消的时候自动断电
TTL兼容的输入和输出
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逻辑框图
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
512 x 512 x 4
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
CE
WE
15
16
10
12
A
0
13
14
11
17
OE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06429修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年3月15日
[+ ]反馈
