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CY7C1316KV18 ， CY7C1916KV18
CY7C1318KV18 ， CY7C1320KV18
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与功耗应用。 -55 ° C至+125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........- 0.5 V至2.9 V
在V电源电压
DDQ
相对于GND ....... -0.5V至+ V
DD
DC应用中的高Z到输出.........- 0.5 V到V
DDQ
+ 0.3 V
直流输入电压
[17]
............................. -0.5 V到V
DD
+ 0.3 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压（ MIL -STD - 883 ，男3015 ） ... > 2001年V
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
中子软错误免疫性
参数
伦敦南岸大学
描述
合乎逻辑的
单位
冷门
合乎逻辑的
多比特
冷门
单一事件
闭锁
TEST
条件
25 °C
典型值
197
马克斯*
216
单位
FIT /
Mb
FIT /
Mb
LMBU
25 °C
0
0.01
SEL
85 °C
0
0.1
FIT /
开发
*
在测试过程中未发生LMBU或SEL事件;
这列代表一个
统计
2
， 95 ％可信限计算。欲了解更多详情，请参阅应用程序
阳离子注，
加速的中子SER测试和地面的计算
故障率 - 一个54908 。
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度（T
A
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+85°C
V
DD
[18]
1.8 ± 0.1 V
V
DDQ
[18]
1.4 V至
V
DD
电气特性
DC电气特性
在整个工作范围
[19]
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
OH （ LOW ）
V
OL （ LOW ）
V
IH
V
IL
I
X
I
OZ
V
REF
描述
电源电压
IO电源电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输入参考电压
[22]
–
–
注20
注21
I
OH
= 0.1毫安，额定阻抗
I
OL
= 0.1毫安，额定阻抗
–
–
GND
V
I
V
DDQ
GND
V
I
V
DDQ ，
输出禁用
典型值= 0.75 V
测试条件
民
1.7
1.4
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
– 0.2
V
SS
V
REF
+ 0.1
–0.3
5
5
0.68
典型值
1.8
1.5
–
–
–
–
–
–
–
–
0.75
最大
1.9
V
DD
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
0.2
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
– 0.1
5
5
0.95
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
笔记
17.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DDQ
+ 0.85 V （脉冲宽度小于T
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
IL
交流（AC） ＆ GT ;
1.5V（脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
18.上电：假设从0 V线性上升到V
DD
（分钟）内200毫秒。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD
.
19.对于接地所有的电压。
20.输出受阻抗控制。我
OH
= –(V
DDQ
/ 2 ） / （ RQ / 5）的值175
＆ LT ; RQ ＆ LT ; 350
.
21.输出受阻抗控制。我
OL
= (V
DDQ
/ 2 ） / （ RQ / 5）的值175
＆ LT ; RQ ＆ LT ; 350
.
22. V
REF
（分钟） = 0.68 V或0.46 V
DDQ
，以较大者为准，V
REF
（ MAX）= 0.95 V或0.54 V
DDQ
中较小的一个。
文件编号： 001-58905修订版* C
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