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CY7C1386DV25 ， CY7C1386FV25
CY7C1387DV25 ， CY7C1387FV25
ZZ模式电气特性
参数
I
DDZZ
t
ZZS
t
ZZREC
t
ZZI
t
RZZI
描述
休眠模式下的待机电流
设备操作ZZ
ZZ恢复时间
ZZ积极睡觉电流
ZZ无效退出休眠电流
测试条件
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ > V
DD
– 0.2V
ZZ < 0.2V
此参数被采样
此参数被采样
0
2t
CYC
2t
CYC
分钟。
马克斯。
80
2t
CYC
单位
mA
ns
ns
ns
ns
真值表
[4, 5, 6, 7, 8, 9]
手术
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
睡眠模式，省电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
添加。二手
无
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外
外
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NEXT
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当前
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当前
当前
CE
1
H
L
L
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X
L
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X
X
H
H
X
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X
X
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CE
2
X
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X
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X
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X
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X
X
X
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CE
3
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X
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X
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X
X
X
ZZ ADSP ADSC
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写OE CLK
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L-H
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L-H
L-H
L-H
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L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
DQ
三州
三州
三州
三州
三州
三州
Q
三州
D
Q
三州
Q
三州
Q
三州
D
D
Q
三州
Q
三州
D
D
笔记
4， X =无关， H =逻辑高电平，L =逻辑低电平。
5.写= L时，任何一个或多个字节写使能信号， BWE = L或GW = L WRITE = H时，所有写字节使能信号， BWE ， GW = H。
6. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的，并且不采样的时钟。
7. CE
1
，CE
2
和CE
3
只适用于TQFP封装。 BGA封装只有2片选CE
1
和CE
2
.
8. SRAM总是启动时ADSP是断言一个读周期，无论GW ， BWE ，或BW的状态
X
。写入只能在后下一时钟发生
在ADSP或ADSC的说法。其结果是，参考必须的写周期开始，以使输出为三态之前，驱动为高电平。 OE是一个不
关心的写周期的其余部分。
9. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期中的所有数据位为三态时， OE是
处于非活动状态，或当装置被取消，并且所有的数据位表现为输出时OE为有效（低电平） 。
文件编号： 38-05548牧师* E
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