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CY7C1386DV25 ， CY7C1386FV25
CY7C1387DV25 ， CY7C1387FV25
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。对于用户的指引，没有测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ....... -0.5V至+ 3.6V
在V电源电压
DDQ
相对于GND ...... -0.5V到+ V
DD
直流电压应用到输出的
在三州........................................... -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压................................... -0.5V至V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
环境
温度
商业0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
范围
V
DD
2.5V ±5%
V
DDQ
2.5V –5%
到V
DD
电气特性
在整个工作范围
[17, 18]
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
IO电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[17]
[17]
测试条件
对于2.5V的IO
对于2.5V的IO ，我
OH
= -1.0毫安
对于2.5V的IO ，我
OL
= 1.0毫安
对于2.5V的IO
对于2.5V的IO
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
分钟。
2.375
2.375
2.0
马克斯。
2.625
V
DD
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
1.7
–0.3
–5
–30
V
DD
+ 0.3V
0.7
5
输入漏电流
除ZZ和MODE
模式输入输入电流= V
SS
输入= V
DD
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
输出漏电流GND
≤
V
I
≤
V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
工作电源
当前
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
4.0 ns的周期， 250兆赫
5 ns的周期， 200兆赫
6 ns的周期， 167兆赫
I
SB1
4.0 ns的周期， 250兆赫
5 ns的周期， 200兆赫
6 ns的周期， 167兆赫
5
–5
30
–5
5
350
300
275
160
150
140
70
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
I
SB3
自动CE
V
DD
=最大，设备取消，所有速度
掉电
V
IN
≤
0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3V,
目前， CMOS输入F = 0
V
DD
=最大，设备选中， 4.0 ns的周期， 250兆赫
自动CE
掉电
或V
IN
≤
0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.3V 5 ns的周期， 200兆赫
目前， CMOS输入端F = F
最大
= 1/t
CYC
6 ns的周期， 167兆赫
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = 0
所有速度
135
130
125
80
mA
mA
mA
mA
I
SB4
笔记
17.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DD
+ 1.5V （脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
IL
交流（AC） > -2V （脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
18. T
上电
：假设一个线性斜坡从0V到V
DD
（分钟）内200毫秒。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD.
文件编号： 38-05548牧师* E
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