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初步
2.5V TAP交流测试条件
输入脉冲电平
........................................ V
SS
到2.5V
输入上升和下降时间............................................. ....... 1纳秒
输入时序参考水平........................................ 1.25V
输出参考电平............................................... .1.25V
测试负载端接电源电压1.25V .............................
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
1.25V
50
TDO
Z
O
= 50
20pF
2.5V TAP AC输出负载等效
TAP DC电气特性和操作条件
(0°C < TA < + 70°C ; VDD = 2.5V ± 0.125V ,除非另有说明)
[13]
参数
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
描述
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
GND < V
IN
& LT ; V
DDQ
测试条件
I
OH
= -1.0毫安,V
DDQ
= 2.5V
I
OH
= -100 μA ,V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 8.0毫安,V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 100 A
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
1.7
-0.3
-5
分钟。
2.0
2.1
0.4
0.2
V
DD
+ 0.3
0.7
5
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
识别寄存器定义
指令字段
版本号( 31:29 )
赛普拉斯设备ID ( 28:12 )
赛普拉斯JEDEC ID ( 11 : 1 )
ID寄存器存在( 0 )
CY7C1354CV25
000
01011001000100110
00000110100
1
CY7C1356CV25
000
00000110100
1
描述
保留为版本号。
允许的SRAM供应商的唯一标识。
表明的ID寄存器中的存在。
01011001000010110留作将来使用。
扫描寄存器大小
注册名称
指令
绕行
ID
边界扫描顺序( 119球BGA封装)
边界扫描顺序( 165球FBGA封装)
位大小
3
1
32
69
69
识别码
指令
EXTEST
IDCODE
SAMPLE Z
版权所有
CODE
000
001
010
011
描述
捕捉输入/输出环的内容。宿TDI之间的边界扫描寄存器
TDO 。强制所有SRAM输出高阻状态。
加载ID注册的供应商ID代码,并将TDI和TDO之间的寄存器。这
操作不会影响SRAM的工作。
捕获的输入/输出内容。地方TDI和TDO之间的边界扫描寄存器。
强制所有SRAM输出驱动器为高阻状态。
请勿使用:此指令留作将来使用。
捕捉输入/输出环的内容。地方TDI和TDO之间的边界扫描寄存器。
不影响SRAM的工作。
SAMPLE / PRELOAD 100
注意:
13.所有电压参考V
SS
(GND)。
文件编号: 38-05537牧师* B
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