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初步
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
三态............................................ -0.5 V到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压....................................- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
CY7C1327G
目前进入输出( LOW ) ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
环境
范围
温度
V
DD
V
DDQ
商业0 ° C至+ 70°C 3.3V -5 % / + 10 % 2.5V -5 %
到V
DD
产业
-40 ° C至+ 85°C
电气特性
在整个工作范围
[7, 8]
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
[7]
输入低
电压
[7]
V
DDQ
= 3.3V, V
DD
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
DDQ
= 2.5V, V
DD
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
DDQ
= 3.3V, V
DD
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
V
DDQ
= 2.5V, V
DD
=最小值,我
OL
= 1.0毫安
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
输入负载电流
除ZZ和MODE
GND
V
I
V
DDQ
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
–30
5
–5
30
–5
5
325
290
265
240
225
205
120
115
110
100
90
80
40
4纳秒的周期, 250MHz的
4.4 ns的周期, 225MHz
5 ns的周期, 200MHz的
6 ns的周期, 166MHz的
7.5 ns的周期, 133MHz的
10 ns的周期, 100MHz的
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大,设备
取消选择,V
IN
V
IH
or
V
IN
V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
4纳秒的周期, 250MHz的
4.4 ns的周期, 225MHz
5 ns的周期, 200MHz的
6 ns的周期, 166MHz的
7.5 ns的周期, 133MHz的
10 ns的周期, 100MHz的
I
SB2
自动CE
V
DD
=最大,设备
掉电
取消选择,V
IN
0.3V或
目前- CMOS输入V
IN
& GT ; V
DDQ
- 0.3V , F = 0
所有速度
测试条件
分钟。
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
马克斯。
3.6
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
模式输入输入电流= V
SS
输入= V
DD
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
输出漏电流GND
V
I
V
DDQ ,
输出禁用
V
DD
工作电源
当前
V
DD
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
=
1/t
CYC
阴影区域包含预览。
注意事项:
7.过冲: V
IH
交流(AC) & LT ; V
DD
+ 1.5V (脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ) ,下冲: V
IL
交流(AC) > -2V (脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
8. T
上电
:假设一个线性斜坡从0V到V
DD
(分钟)在200ms以内。在这段时间V
IH
& LT ; V
DD
和V
DDQ
& LT ; V
DD
.
文件编号: 38-05519修订版**
第8页18

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