位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第643页 > CY7C1041DV33-10BVXI > CY7C1041DV33-10BVXI PDF资料 > CY7C1041DV33-10BVXI PDF资料2第8页

CY7C1041DV33
开关波形
(续)
图5.读周期2号( OE控制)
[22, 23]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE , BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
V
CC
供应
当前
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
t
HZCE
t
HZBE
t
HZOE
高
阻抗
IICC
CC
IISB
SB
图6.写周期第1号( CE控制)
[24, 25]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
BHE , BLE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
笔记
22.我们是高读周期。
23.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
24.数据的I / O为高阻抗,如果OE或BHE和BLE = V
IH 。
25.若CE变同时与WE变为高电平高电平时,输出保持在高阻抗状态。
文件编号: 38-05473牧师* I
第8页17
[+ ]反馈