CY7C1046D
开关特性
[5]
在整个工作范围
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[9, 10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低
WE低到高
Z
[8]
Z
[7, 8]
10
7
7
0
0
7
6
0
3
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
[6]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
100
10
–
3
–
–
0
–
3
–
0
–
–
–
10
–
10
5
–
5
–
5
–
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
7C1046D-10
民
最大
单位
笔记
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，时间为1.5 V，输入脉冲的0电平参考电平至3.0 V.
6. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在AC测试Loads.Transition的测定（b）部分时，输出进入高阻抗
状态。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，并任过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05705牧师* D
第15 6
[+ ]反馈
