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CY7C1020CV33
512 K（ 32千× 16 ）静态RAM
512 K（ 32千× 16 ）静态RAM
特点
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功能说明
该CY7C1020CV33是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为32,768字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能完成（ CE ）
和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
1
通过I / O
8
） ，被写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
） 。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
9
通过I / O
16
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
14
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元将
出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则
从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。见真值表
在此数据表的背面为读一个完整的描述
写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
当设备被取消（ CE HIGH ）高阻抗状态，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE的
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE LOW时，
和WE LOW ） 。
该CY7C1020CV33是标准的44引脚TSOP类型可用
二包。
引脚和功能兼容CY7C1020CV33
温度范围
商业： 0 ° C至70℃
工业： -40 ° C至85°C
汽车： -40 ° C至125°C
高速
t
AA
= 10纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
325毫瓦（最大）
取消时自动断电
高位和低位的独立控制
可提供无铅和无无铅44引脚TSOP II封装
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逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
32K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05133牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年12月2日
[+ ]反馈
