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CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
静态电源电流
( TTL输入)
动态电源电流
[9]
测试条件
V
CC
=最大,V
IN
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大,V
IN
= 3.4V ,女
1
= 0时,输出打开
[8]
V
CC
=最大值,占空比为50% ,输出打开,
一位切换在f
1
= 10兆赫,
OE
A
= OE
B
= GND ,或OE
A
= GND , OE
B
=V
CC,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值,占空比为50% ,输出打开,
一位切换在f
1
= 10兆赫,
OE
A
= OE
B
= GND ,或OE
A
= GND , OE
B
=V
CC,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值,占空比为50% ,输出打开,
一位切换在f
1
= 10兆赫,
OE
A
= OE
B
= GND ,或OE
A
= GND , OE
B
=V
CC,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值,占空比为50% ,输出打开,
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时,
OE
A
= OE
B
= GND ,或OE
A
= GND , OE
B
=V
CC,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值,占空比为50% ,输出打开,
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时,
OE
A
= OE
B
= GND ,或OE
A
= GND , OE
B
=V
CC,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
注意事项:
8.每TTL驱动输入(V
IN
= 3.4V ) ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的,但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入(V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对( HLH或LHL )电流
=时钟频率为注册设备,否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安,所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版,但未经测试。
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
I
C
总电源电流
[10]
0.7
1.4
mA
1.0
2.4
mA
1.3
2.6
[11]
mA
3.3
10.6
[11]
mA
3