CY62256VN
图2.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.8 V
t
CDR
CE
V
DR
> 1.4 V
1.8 V
t
R
开关特性
在整个工作范围
[9]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[12, 13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[10, 11]
WE高到低Z
[10]
描述
CY62256VN-70
民
70
–
10
–
–
5
–
10
–
0
–
70
60
60
0
0
50
30
0
–
10
最大
–
70
–
70
35
–
25
–
25
–
70
–
–
–
–
–
–
–
–
25
–
单位
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[10]
OE高到高Z
[10, 11]
CE低到低Z
[10]
CE高到高阻
[10, 11]
CE低到通电
CE高到掉电
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
9.测试条件假设为5纳秒或V以下的定时基准电平信号转换时间
CC
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
10.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
11. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
12.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
13.写周期＃ 3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06512修订版* D
第14页6
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