CY62256VN
开关波形
图3.读周期号1
[14, 15]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
图4.读周期2号
[15, 16]
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
高
阻抗
数据输出
ICC
50%
ISB
图5.写周期第1号（我们控制）
[17, 18, 19]
t
WC
地址
CE
t
AW
WE
t
SA
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注20
t
HZOE
笔记
14.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
16.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
17.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
18.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
19.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
20.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
文件编号： 001-06512修订版* D
第14页第7
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