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CY62157EV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
参数
[16, 17]
描述
45纳秒（工业/
自动-A ）
民
最大
–
45
–
45
22
–
18
–
18
–
45
45
–
18
–
–
–
–
–
–
–
–
–
18
–
55纳秒（自动-E ）
民
55
–
10
–
–
5
–
10
–
0
–
–
10
–
55
40
40
0
0
40
40
25
0
–
10
最大
–
55
–
55
25
–
20
–
20
–
55
55
–
20
–
–
–
–
–
–
–
–
–
20
–
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[21]
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[18, 19]
WE高到低Z
[18]
45
35
35
0
0
35
35
25
0
–
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[18]
OE高到高Z
[18, 19]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[18]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[18, 19]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[18, 20]
BLE / BHE高到高阻
[18, 19]
45
–
10
–
–
5
–
10
–
0
–
–
5
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
16.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
0至V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
图4第5页。
17. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。请参阅应用笔记
AN13842
为进一步澄清。
18.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
19. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
20.如果两个字节使能触发在一起，此值是10纳秒。
21.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ， BLE或两者= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始写
任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的建立和保持时间必须参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05445牧师* I
第21 7
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