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CY62126EV30的MoBL
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
特点
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功能说明
该CY62126EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
超过99 ％的取消时（ CE HIGH ） 。输入和
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗
当设备被取消（ CE HIGH）状态时，输出
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH）或写时
操作（ CE LOW和WE低）。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
15
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
第11页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+85°C
汽车： -40°C至+125°C
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62126DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 4
A
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
提供无铅48球非常细间距球栅阵列
（ VFBGA ）和44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II
套餐
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逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05486牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年5月31日
[+ ]反馈
