CY62148E的MoBL
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文档标题： CY62148E的MoBL
， 4兆位（ 512K的× 8 ）静态RAM
文件编号： 38-05442
调整
**
*A
ECN
201580
249276
原稿。的
变化
AJU
SYT
服从
日期
01/08/04
见ECN
新的数据表
从超前信息改为初步
移动产品组合，第2页
新增RTSOP II和删除FBGA封装
改变了V
CC
从100脚注＃ 7稳定时间
s
200
s
改变了我
CCDR
2.0
A
2.5
A
在数据保持特性改变的错字（T
R
） 100
s
给T
RC
ns
改变的吨
OHA
从6 ns至10 ns的为35 ns到45 ns的速度斌
改变的吨
HZOE
, t
HZWE
从12到15纳秒35纳秒的速度斌15至18毫微秒45
ns的速度斌
改变的吨
SCE
从25到30纳秒35纳秒的速度斌40到35纳秒45纳秒的速度
箱子
改变的吨
HZCE
从12到18 ns的35纳秒的速度斌和15至22纳秒45纳秒
速度斌
改变的吨
SD
从15到18纳秒35纳秒的速度斌20日至22纳秒的
45纳秒的速度斌
改变的吨
美国能源部
从15到18毫微秒35毫微秒的速度滨
在软件包名称更正错字
改变了订购信息，包括无铅封装
从初步改为决赛
从变化上页＃ 1赛普拉斯半导体公司的地址
“ 3901北一街”到“ 198冠军苑”
除去速度为35ns斌
去掉“L”版本CY62148E的
改变了我
CC
（典型值）值在1.5 mA至在f = 1 MHz的2毫安
改变了我
CC
从2 mA至2.5毫安在f = 1兆赫（最大）值
改变了我
CC
12 MA（典型值）值15毫安在f = F
最大
除去我
SB1
从电气特性表中的规格
改变了我
SB2
0.7典型值
A
1
A
和Max 2.5值
A
7到
A
修改脚注＃ 4 ，包括电流限制
去除多余的脚注上DNU引脚
改变了AC testload电容从100 pF到30 pF的页＃ 4
改变的测试负载参数R 1 ，R 2 ，R
TH
和V
TH
从1838
,
994
,
645
and
1.75 V至1800
,
990
,
639
and
1.77 V
改变了我
CCDR
从2.5
A
7到
A
加我
CCDR
典型的价值
改变的吨
LZOE
从3 ns至5纳秒
改变的吨
LZCE
和T
LZWE
从6 ns至10 ns的
改变的吨
HZCE
从22 ns至18 ns的
改变的吨
PWE
从30 ns至35 ns的
改变的吨
SD
从22 ns至25 ns的
更新了订购信息表，并更换包装名称柱
包图
包括汽车系列产品提供
更新了订购信息
纠正工作范围为4.5 V - 5.5 V页＃ 3
添加脚注＃ 8
加V
IL
SPEC的SOIC封装。
变化的说明
*B
414820
ZSD
见ECN
*C
*D
*E
464503
485639
833080
NXR
VKN
VKN
见ECN
见ECN
见ECN
文件编号： 38-05442牧师* I
第14页16
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