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CY62148E的MoBL
电容
参数
[10]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC
（典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[10]
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图2.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
3.0 V
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
包
75
10
TSOP II
包
77
13
单位
° C / W
° C / W
相当于：
戴维南
当量
R
TH
产量
参数
[10]
R1
R2
R
TH
V
TH
V
5.0 V
1800
990
639
1.77
单位
Ω
Ω
Ω
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[12]
t
CDR
t
R[13]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
TSOP II
SOIC
V
CC
= V
DR
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V
工业/
汽车-A
条件
民
2
–
0
45
55
典型值
[11]
–
1
–
–
–
最大
–
7
–
–
–
单位
V
A
ns
ns
ns
笔记
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
11.典型值，以供参考，并不能保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
12.芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
13.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
（分钟） > 100 μs或稳定在V
CC
（分钟） > 100微秒。
文件编号： 38-05442牧师* H
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