CY2305 ， CY2309
典型的占空比
[17]
和IDD趋势
[18]
对于CY2305-1H和CY2309-1H
占空比VS VDD
（ 30 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
54
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
Vdd的（V）的
3.4
3.5
3.6
33兆赫
66兆赫
100兆赫
60
58
56
54
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
Vdd的（V）的
3.4
3.5
3.6
33兆赫
66兆赫
100兆赫
133兆赫
占空比VS VDD
（ 15 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
占空比与频率
（ 30 pF的负载在整个温度范围 - 3.3V ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
占空比与频率
（ 15 pF的负载在整个温度范围 - 3.3V ）
60
58
56
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
频率（MHz）
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
频率（MHz）
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
IDD VS加载输出数
（ 30 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
160
140
120
IDD （MA ）
33兆赫
66兆赫
100兆赫
IDD （MA ）
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
＃加载产出
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
IDD VS加载输出数
（ 15 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
33兆赫
66兆赫
100兆赫
2
3
4
5
6
7
8
9
＃加载产出
笔记
17.占空比是从1.4 V.典型的测量芯片
18. I
DD
数据是从我计算
DD
= I
CORE
+ nCVf ，在那里我
CORE
是空载电流。 （N = ＃输出; V =电源电压（ V） ;每路输出（ F） C =电容负载;
F =频率（Hz ） ） 。
文件编号： 38-07140牧师* M
第11页共19
[+ ]反馈
