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CY14MC256J
CY14MB256J ， CY14ME256J
该NVSRAM进入睡眠模式如下：
1.主机发送一个START命令
2.主机发送控制寄存器从设备ID与我
2
C
写位组（ R / W = ' 0 ' ）
3.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主
4.主机发送命令寄存器地址（和0xAA ）
5.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主
6.主机发送命令寄存器字节进入
睡眠模式
7.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主
8.主机产生一个停止条件。
一旦在休眠模式下设备启动消费我
ZZ
目前，
t
睡觉
SLEEP指令后时间登记。该装置是
不正常操作访问，直到它退出睡眠模式。
该NVSRAM吨后醒来
WAKE
该设备后持续时间
从机地址是由主机发送。
传输任何两个从地址的唤醒的nvSRAM
从休眠模式。该NVSRAM器件是不是在访问
t
睡觉
和T
WAKE
间隔，并且任何尝试访问
的nvSRAM设备由主机被忽略和NVSRAM发
NACK给主。作为确定的另一种方法
当设备准备就绪后，主控制器可以发送读或写
命令和寻找一个ACK 。
图10.自动存储模式
V
CC
0.1 uF的
V
CC
V
帽
V
帽
V
SS
五金店和HSB引脚操作
HSB的销在CY14MX256J用于控制和
确认存储操作。如果没有存储或调用是
进度，该引脚可用于请求五金店
周期。当HSB引脚驱动为低电平时，器件有条件
发起吨后STORE操作
延迟
持续时间。实际
STORE周期开始只有一个写入SRAM已
自上次存储或调用循环中执行。读取和
写入到存储器中被禁止在t
商店
持续时间或长
作为HSB引脚为低电平。
在HSB引脚还充当开漏驱动器（内置100 k
弱上拉电阻器）的内部驱动到低电平，表示
忙状态时存储（通过任何手段发起的）是
进展情况。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
记
对于成功的最后一个数据字节商店，五金店
应开始的至少一个时钟周期之后的最后一个数据位
D0被接收。
经STORE操作完成时，存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB引脚悬空，如果不使用。
写保护（ WP ）
在WP引脚为高电平有效引脚和保护整个内存和
从写入操作的所有寄存器。以抑制所有的写
操作时，该引脚必须保持为高。当该引脚为高电平时，所有的
内存和寄存器的写操作被禁止，地址计数器
不会递增。该引脚内部拉低，因此
可以悬空，如果不使用。
自动存储操作
该自动存储操作的nvSRAM的独特功能，
自动存储在SRAM中的数据QuantumTrap细胞
在断电期间。这家店是利用外部的
电容（V
帽
） ，使设备安全地存储
在非易失性存储器中的数据时的功率下降。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。当
电压在V
CC
引脚低于V
开关
在掉电模式下，
该设备禁止所有内存存取的nvSRAM和
自动执行使用条件STORE操作
从V充电
帽
电容。所述自动存储操作不
如果没有写周期已经从上次开始执行
存储或调用。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储必备
通过发出自动存储禁用指令被禁用
在指定的
命令寄存器第8页。
如果自动存储为
而对V电容器启用
帽
销，该设备的尝试
自动存储操作没有足够的费用来完成
商店。这将损坏存储的nvSRAM以及数据
序列号，它会解锁SNL位。
图10
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）的自动存储操作。请参阅
直流电气
第19页上的特点
对于V的大小
帽
.
硬件RECALL （上电）
在上电期间，当V
CC
十字V
开关
中，自动
RECALL顺序启动其传输的内容
非易失性存储器上的SRAM中。这些数据将以前
已经被存储在非易失性存储器通过一条STORE
序列。
开机通电RECALL周期为吨
FA
时间来完成，
在这段时间内的存储器访问被禁止。 HSB引脚可
用于检测所述装置的准备就绪状态。
文件编号： 001-65233修订版* B
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