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CY14C256I
CY14B256I ， CY14E256I
睡眠：
SLEEP指令把所述的nvSRAM中的睡眠模式。
当SLEEP指令被注册，该NVSRAM
执行STORE操作，以确保该数据到非易失性
存储器中，然后进入休眠模式。无论何时的nvSRAM
进入睡眠模式时，它启动非易失性存储器周期
这会导致失去每休眠命令耐力周期
执行。商店周期开始只有一个写入SRAM
自上次存储或调用周期已经完成。
在指定的
命令寄存器第8页。
如果自动存储为
而对V电容器启用
帽
销，该设备的尝试
自动存储操作没有足够的费用来完成
商店。这将损坏存储的nvSRAM以及数据
序列号，它会解锁SNL位。
图10
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）的自动存储操作。见
直流电气
第30页上的特点
对于V的大小
帽
.
图10.自动存储模式
V
CC
■
所述的nvSRAM进入这样的睡眠模式：
1.主机发送一个START命令。
2.主机发送控制寄存器从设备ID与我
2
C
写位组（ R / W = ' 0 ' ） 。
3.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主机。
4.主机发送命令寄存器地址（和0xAA ） 。
5.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主机。
6.主机发送命令寄存器字节进入
睡眠模式。
7.从（的nvSRAM ）发送一个ACK返回给主机。
8.主机产生一个停止条件。
一旦进入睡眠模式，设备启动消费我
ZZ
当前
t
睡觉
SLEEP指令后时间登记。该装置是
不正常操作访问，直到它退出睡眠模式。
该NVSRAM吨后醒来
WAKE
该设备后持续时间
从机地址是由主机发送。
传输任何三个从站地址的唤醒
从睡眠模式NVSRAM 。所述的nvSRAM设备是不
吨访问期间，
睡觉
和T
WAKE
间隔和任何企图
由主机访问的nvSRAM装置被忽略，
的nvSRAM发送NACK给主。的另一种方法
确定当设备准备好是主送
读或写命令，并寻找一个ACK 。
0.1 uF的
V
CC
V
帽
V
帽
V
SS
五金店和HSB引脚操作
在HSB引脚CY14X256I用于控制和确认
存储操作。如果没有存储或调用正在进行这一点，
引脚可用于请求五金店周期。当
HSB引脚驱动为低电平时，器件有条件启动
吨后STORE操作
延迟
持续时间。实际STORE周期
仅在启动如果由于已经执行了写入SRAM中
最后存储或调用周期。读取和写入内存
被禁止在t
商店
持续时间或者只要HSB销为低。
在HSB引脚还充当开漏驱动器（内置100 k
弱上拉电阻器）的内部驱动到低电平，表示
忙状态时存储（通过任何手段发起的）是
进展情况。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
记
对于成功的最后一个数据字节商店，五金店
应开始的至少一个时钟周期之后的最后一个数据位
D0被接收。
经STORE操作完成时，存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB引脚悬空，如果不使用。
写保护（ WP ）
写保护（ WP ）引脚为高电平有效引脚和保护
整个内存和写入操作的所有寄存器。对
禁止所有的写操作，该引脚必须保持高电平。当
该引脚为高电平时，所有存储器和寄存器的写操作被禁止
和地址计数器不递增。该引脚在内部
拉到低电平，因此，可以保持打开状态，如果不使用。
自动存储操作
该自动存储操作的nvSRAM的一个独特的功能，
自动存储在SRAM中的数据QuantumTrap细胞
在断电期间。这家店是利用外部的
电容（V
帽
） ，使设备安全地存储
在非易失性存储器中的数据时的功率下降。
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。当
电压在V
CC
引脚低于V
开关
在掉电模式下，
该设备禁止所有内存存取的nvSRAM和
自动执行使用条件STORE操作
从V充电
帽
电容。所述自动存储操作不
如果没有写周期已经从上次开始执行
存储或调用。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储必备
通过发出自动存储禁用指令被禁用
硬件RECALL （上电）
在上电期间，当V
CC
十字V
开关
中，自动
RECALL顺序启动的传输的内容
非易失性存储器向SRAM 。该数据可能已被
预先存储在非易失性存储器通过一条STORE
序列。
文件编号： 001-65230修订版* B
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