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CY14B104K ， CY14B104M
引脚德网络nitions
（续）
引脚名称
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
地
描述
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部向芯片它发起一个非易失STORE操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B104K / CY14B104M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞向SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B104K / CY14B104M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性细胞和多达百万STORE操作
操作。看
真值表SRAM操作第25页
用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B104K / CY14B104M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是：
五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B104K/CY14B104M.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储6页。
如果自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B104K / CY14B104M执行一个读周期时CE
和OE低， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0–18
OR A
0–17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使（ BHE ， BLE）确定哪些字节使能到
输出，在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时，输出是有效吨的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。该
数据输出反复进行响应，以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效，直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0–15
被写入到存储器中，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
写的，在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平，在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
帽
V
帽
V
SS
图2中第4页
显示存储的正确连接
电容（V
帽
）自动存储操作。请参阅
DC
第16页的电气特性
对于V的大小
帽
。该
电压在V
帽
引脚被驱动到V
CC
由上所述的调节器
第35 4
文件编号： 001-07103修订版* U
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