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CY14B101LA
CY14B101NA
文档历史记录页
文档标题： CY14B101LA / CY14B101NA ， 1兆位（ 128千× 8/64 K＆times 16 ）的nvSRAM
文档编号： 001-42879
原稿。的
Submis-
启示录
ECN号
变化的说明
变化
锡安日期
**
2050747
UNC /
01/31/08
新的数据表
PYRS
*A
2607447
GVCH /
11/14/08
除去15 ns访问速度
AESA
更新“功能”
更新逻辑框图
加脚注1 2，3和7
引脚定义：更新WE ， HSB和NC引脚说明
第4页：更新SRAM读取，写入SRAM ，自动存储操作
描述
更新了图4
第4页：硬件更新的存储操作和硬件的调用
（的通电）介绍
第4页：更新的软件商店和软件召回说明
注：1和11所引用的模式选择表
添加脚注11
更新脚注9和10
第6页：更新的数据保护说明
最大额定值：增加最大。累计储存时间
改变后的输出短路电流参数名称为直流输出电流
改变了我
CC2
6 mA至10毫安
改变了我
CC3
15 mA至35毫安
改变了我
CC4
6 mA至5毫安
改变了我
SB
3 mA至5毫安
加我
IX
对于HSB
我更新
CC1,
I
CC3,
I
SB
我
OZ
测试条件
改变了V
帽
电压最小值68 μF至61 μF
加V
帽
电压最大值为180 μF
更新脚注12和13
添加脚注14
添加的数据保留和耐力表
增加了热阻值为48引脚FBGA封装和44引脚TSOP II封装
更新输入上升和下降时间在AC测试条件
引用脚注17吨
OHA
参数
更新了所有的开关波形
更新脚注17
添加脚注20
补充图10 （ SRAM写周期： BHE和BLE控制）
改变的吨
商店
从12.5毫秒最大值为8毫秒
更新牛逼
延迟
价值
加V
HDIS
, t
HHHD
和T
LZHSB
参数
更新脚注24
添加脚注26和27
软件控制的存储/调用表：更改吨
AS
给T
SA
改变的吨
GHAX
给T
HA
改变的吨
HA
从1 ns到0 ns的值
补充图13
加入叔
DHSB
参数
改变的吨
HLHX
给T
PHSB
更新牛逼
SS
从70微秒到100微秒
对于SRAM操作添加真值表
最新的订购信息和零件编号命名
*B
2654484
GVCH /
02/05/09
从推进信息初步改变了数据表
PYRS
引用注15参数T
LZCE
, t
HZCE
, t
LZOE ，
t
HZOE ，
t
LZWE
和T
HZWE
更新图12
文件编号： 001-42879修订版* L
第26页28
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