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CY14B104LA ， CY14B104NA
4兆位（ 512 K＆times 256分之8 K＆times 16 ）的nvSRAM
特点
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20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为512K的× 8 （ CY14B104LA ）或256 K＆times
16 （ CY14B104NA ）
只有一小关就断电自动STORE手
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
工业温度
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套餐
44- / 54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）
48球细间距球栅阵列（ FBGA ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
功能说明
赛普拉斯CY14B104LA / CY14B104NA是一个快速静态RAM
（SRAM），与在每个存储单元的非易失性元件。该
存储器由512千字节的8位或每256千
也就是说，每行16位。嵌入式非挥发性元素
合并QuantumTrap技术，生产世界上
最可靠的非易失性存储器。该SRAM提供了无限
读取和写入周期，而独立的非易失性数据
驻留在高度可靠的QuantumTrap细胞。数据传输
从SRAM到非易失性元件（对STORE
操作）会自动发生在电源关闭。上
电时，数据被恢复到SRAM （该RECALL操作）
从非易失性存储器中。无论是存储和调用
操作也是在软件控制下可用。
逻辑框图
[1, 2, 3]
笔记
1.地址
0
- A
18
为× 8配置和地址
0
- A
17
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-49918修订版* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月18日
[+ ]反馈
