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CY14B108L
CY14B108N
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
19
A
0
– A
18
DQ
0
？ DQ
7
DQ
0
？ DQ
15
WE
CE
OE
BHE
BLE
V
SS
V
CC
HSB
输入
输入
输入
输入
输入
地
I / O类型
输入
描述
地址输入。用于选择的1,048,576字节的nvSRAM的×8配置之一。
地址输入。用于选择524,288字的nvSRAM为×16配置的一个。
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据的I / × 16配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
写使能输入，低电平有效。当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。 I / O引脚为三态上拉高OE为高电平。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
- DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
- DQ
0
.
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源输入到该设备。
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻
连接可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
无连接
无连接。该管脚没有连接到模具上。
V
帽
NC
文件编号： 001-45523修订版* I
第24 4
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