CY14B256LA
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B256LA继续驱动HSB引脚为低电平，释放
它只有当存储完成。一旦竣工
STORE操作，该NVSRAM存储器访问被禁止的
t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。离开HSB
未连接的，如果它不被使用。
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功耗状态
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V的检测电压
开关
，召回
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
在此期间，HSB被HSB驱动驱动至低电平。
软件RECALL
数据从非易失性存储器由一个传送到SRAM
软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
的CE或OE控制的读操作按照以下顺序
必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除。接着，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
软件商店
数据从SRAM的一个传送到所述非易失性存储器
软件地址序列。该CY14B256LA软件
STORE周期由执行顺序CE或OE启动
从六个具体地址位置控制的读周期
确切顺序。在STORE周期以前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。之后启动了STORE周期，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
序列必须执行：
1.阅读地址0x0E38有效的读
2.读地址0x31C7有效的读
3.阅读地址0x03E0有效的读
4.阅读地址0x3C1F有效的读
5.读地址0x303F有效的读
6.读地址0x0FC0启动STORE周期
表2.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
L
A
14
- A
0
[6]
X
X
X
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0B45
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
I / O
输出高阻
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[7]
笔记
6.虽然有关于CY14B256LA 15条地址线，只有低14被用于控制软件模式。
7.六个连续的地址位置必须是在列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期，使非易失性周期。
文件编号： 001-54707修订版* F
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