位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第173页 > CY14B256LA-SZ25XIT > CY14B256LA-SZ25XIT PDF资料 > CY14B256LA-SZ25XIT PDF资料2第13页
CY14B256LA
自动存储/电RECALL
参数
t
HRECALL [ 21 ]
t
店[ 22 ]
t
DELAY [ 23 ]
V
开关
t
VCCRISE[24]
V
HDIS[24]
t
LZHSB[24]
t
HHHD[24]
描述
上电召回时间
STORE周期的持续时间
时间可以完成SRAM写周期
低电压触发电平
V
CC
上升时间
HSB禁止输出电压
HSB输出活动时间
HSB高活性的时间
CY14B256LA
民
最大
–
20
–
–
–
150
–
–
–
8
25
2.65
–
1.9
5
500
单位
ms
ms
ns
V
s
V
s
ns
开关波形
图9.自动存储或电设置
[25]
V
开关
V
HDIS
记
22
V
CC
t
VCCRISE
记
HSB OUT
26
t
HHHD
t
商店
t
HHHD
t
延迟
记
22
t
商店
记
26
自动存储
电源 -
UP
召回
阅读&写
抑制
（RWI ）
t
LZHSB
t
延迟
t
LZHSB
t
HRECALL
t
HRECALL
上电
召回
阅读&写
棕色
OUT
自动存储
上电
召回
阅读&写
动力
下
自动存储
笔记
21. t
HRECALL
开始从时间V
CC
上升超过V
开关。
22.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有自动存储或五金店发生。
23.在一个五金店，并自动存储开始，SRAM写操作继续启用时间t
延迟
.
24.这些参数由设计保证，未经测试。
存储，调用时25读取和写入周期被忽略，而V
CC
低于V
开关。
26.在上电和断电， HSB glitches当HSB引脚被上拉至一个外部电阻器。
文件编号： 001-54707修订版* F
第13页22
[+ ]反馈
