SENSITRON
半导体
技术参数
数据表650 ， REV 。 B
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.22 5± .01 0
(5.7 1± .25 4)
SHD116112
SHD116112B
.375±.020
(9.52±.508)
.225±.010
(5.71±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.225 ± .010
(5.71± .254)
.225±.010
(5.71±.254)
.015±.005
(.381±.127)
铜阳极
0.07 5 （ 1 0.91 ）M AX
明矾INA 荷兰国际集团
M奥菱B酶
M奥菱盖
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.020±.005 R
(.508±.127 )
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-1
SHD-1B
典型的反向特性
10
2
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
典型的正向特性
10
1
10
1
150 °C
125 °C
150 °C
10
0
100 °C
75 °C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
-1
10
0
50 °C
10
-2
125 °C
10
-3
25 °C
25 °C
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
10
-1
结电容 - C
T
（PF ）
典型结电容
400
350
300
250
200
150
100
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
10
-2
0.0
0.2
0.4
0.6
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
2000 Sensitron半导体
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
www.sensitron.com
sales@sensitron.com
