SENSITRON
半导体
技术参数
数据表552 ， REV 。 -
SHD225604
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
200伏， 0.045欧姆， 50A MOSFET
隔离密封金属封装
低R
DS （ ON）
最大额定值
所有评级ARE AT＆T
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D25
I
DM
T
J
/T
英镑
P
D
R
thJC
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
±20
50
200
+150
270
0.45
单位
伏
安培
安培
°C
瓦
° C / W
等级
栅极至源极电压
通态漏电流
漏电流脉冲
工作和存储温度
器件总功耗
热阻，结到外壳
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5I
D25
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 4.0毫安
正向跨导
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5I
D25
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8×最大值。评级，V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DS
= 0.5V
上升时间
V
DSS
, I
D
= 0.5I
D25
关闭延迟时间
V
GS
=10V
下降时间
R
G
= 1.0Ω
二极管的正向电压
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
反向恢复时间
T
J
= 25°C,
I
F
= 25A ，V
R
= 100V
的di / dt = 100A /微秒
输入电容
V
GS
= 0 V,
输出电容
V
DS
= 25 V,
反向传输电容
F = 1.0MHz的
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
分钟。
200
-
2.0
26
典型值。
-
-
-
32
马克斯。
-
0.045
4.0
-
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
-
-
-
-
-
18
15
72
16
-
200
1000
100
-100
25
20
90
25
1.5
200
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
4400
800
280
-
pF
纳秒
μA
nA
单位
伏
Ω
伏
S(1/Ω)
纳秒
-
伏
221
西部工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 516 ） 586-7600
传真（ 516 ） 242-9798
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