SENSITRON
半导体
技术参数
数据表275 ， REV -
原产品编号SHD2256
SHD225609
密封功率MOSFET
N沟道
产品特点：
800伏， 0.80欧姆， 13A MOSFET
隔离密封金属封装
快速开关
低R
DS （ ON）
类似工业部件类型 - IXTM13N80
最大额定值
等级
门源电压（连续）
通态漏电流
漏电流脉冲
@ T
C
= 25C
工作和存储温度
器件总功耗@ T
C
= 25C
所有评级ARE AT＆T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
GS
I
D
I
DM
T
J
/T
英镑
P
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
thJC
分钟。
-
-
-
-55
-
800
-
2.0
8.0
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
14
-
-
20
33
63
32
-
800
4500
310
65
-
马克斯。
20
13
52
+150
180
-
0.80
4.5
-
0.25
1.0
100
-100
50
50
100
50
1.5
-
-
0.7
单位
伏
安培
安培
C
瓦
伏
W
伏
S(1/W)
mA
nA
纳秒
伏
纳秒
pF
° C / W
电气特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 3.0毫安
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5I
D25
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
正向跨导
V
DS
= 10V ;我
D
= 0.5I
D25
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8 V
DSS
T
J
= 125C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DS
= 0.5V
决策支持系统“ ，
上升时间
I
D
= 0.5 I
D25,
关闭延迟时间
R
G
= 2.0W,
下降时间
V
GS
= 10V
二极管的正向电压
I
F
= I
S’
V
GS
= 0V
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
反向恢复时间
I
f
= I
S
,
的di / dt = 100A /毫秒，V
R
= 100V
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= 25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
热阻，结到外壳
-
-
-
-
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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