SENSITRON

半导体

技术参数

数据表4284 ， REV 。 ê

SHD626031

SHD626031P

SHD626031N

SHD626031D

HERMETIC碳化硅整流器

描述：

A 600伏， 8功放电源碳化硅整流器在密封TO- 257

封装筛选，以任何所需的水平

产品特点：

无恢复时间或反向恢复损耗

没有温度影响的开关行为

高频率选项

- 非磁性Glidcop引线可用于改进的性能在

高频;使用部件编号前缀SHDG

陶瓷密封选项

- 对于陶瓷密封件使用部分号码前缀SHDC

最大额定值

等级

峰值反向电压

最大电流输出（附T

C

= 65

O

下，进行以P的部件号和

后缀）

最大电流输出（附T

C

= 65

O

C，对于单件号

和D后缀）

最大可重复正向浪涌电流每支架

（T = 8.3ms的正弦）每腿，T

C

= 25

O

C

最大非重复正向浪涌电流每支架

（T = 10微秒，脉冲）每腿，T

C

= 25

O

C

最大功耗，T

C

= 25

O

C,

最大热阻，结到外壳（每双包装

共阴/阳极配置）

最大工作和存储温度范围*

所有评级ARE @ T

C

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

PIV

I

O

I

O

I

FRM

I

FSM

马克斯。

600

8

4

20

单位

伏

安培

安培

安培

110

安培

P

d

R

θ

JC

顶， TSTG

20

5.6

-55

+200

W

° C / W

°C

*

注：碳化硅半导体将处理达到或超过该操作和储存温度。然而，扩展业务使用的封装装置的

175℃以上会降低其未来表现。所有资格测试和筛选符合MIL -PRF- 19500只进行到175℃ 。

电气特性

特征

最大正向电压降

脉冲（我

f

= 4的每支架）V

f

T

J

= 25°C

T

J

= 175

°C

典型值

1.50

2.00

0.025

0.050

10

220

马克斯。

1.85

2.40

0.200

1.0

不适用

单位

伏

最大反向电流（I

r

@ 600V PIV每支架）T

J

= 25

°C

T

J

= 175

°C

总容性充电（V

R

= 600V我

F

= 4A的di / dt = 500A / μs的牛逼

J

= 25 ° C） Q

C

每腿

最大结电容（ V

r

= 5V ）每腿

C

T

mA

nC

pF

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鹿园，NY 11729-4681

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