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Si1304BDL
Vishay Siliconix公司
N沟道30 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.270在V
GS
= 4.5 V
0.385在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
a
0.90
0.75
Q
g
（典型值）。
1.1
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
SC- 70 （ 3 -信息）
G
1
标识代码
KF
XX
YY
3
D
D
S
2
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
顶视图
G
S
订货信息：
Si1304BDL -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1304BDL -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 12
0.90
0.71
0.85
B，C
0.68
B，C
4
0.31
0.28
B，C
0.37
0.24
0.34
B，C
0.22
B，C
- 55 150
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大
结到环境
B，D
t
≤
5s
稳定状态
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为360 °C / W 。
文档编号： 73480
S10-0645 -REV 。 C， 22 -MAR- 10
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJF
典型
315
285
最大
375
340
单位
° C / W
