SPICE器件模型Si1403CDL
Vishay Siliconix公司
P沟道20 V （D -S ）的MOSFET
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。该
子电路模型提取和优化，在 - 55°C
根据脉冲0 V至5 V + 125°C温度范围
栅极驱动。饱和输出阻抗是在最合适的
附近的阈值电压的栅极偏置。一种新颖的栅 - 漏
反馈电容网络用于栅极建模
充电特性，同时避免趋同
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数
值被优化，以提供最适合于所测量的
电数据，并且不打算作为一个确切的物理
解释器的。
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
精确的在 - 55 ° C至+ 125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向
恢复特性
子电路模型示意图
D
C
GD
M
2
G
R
G
Gy
+ –
ETCV
Gx
C
GS
M
1
R
1
3
DBD
S
记
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计者应该参考
相同数量的保证规范限制的适当的数据表。
文档编号： 67485
S11-0396 -REV 。 A， 3月14日11
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