Si1972DH
Vishay Siliconix公司
双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.190在V
GS
= 10 V
0.344在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
1.3
1.3
Q
g
（典型值）。
0.91 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
负载开关，用于便携式应用
6
D
1
标识代码
CE
XX
YY
D
1
D
2
S
1
1
G
1
2
5
G
2
D
2
3
4
S
2
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
G
1
G
2
顶部
意见
订货信息：
Si1972DH -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si1972DH -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
D，E
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 20
1.3
a
1.3
a
1.3
a
1.2
4
1.0
0.61
c
1.25
0.8
0.74
B，C
0.47
B，C
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，F
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 5秒。
。在稳态条件下最大为220 ° C / W 。
文档编号： 74398
S10-0721 -REV 。 B， 29 -MAR- 10
www.vishay.com
1
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
130
80
最大
170
100
单位
° C / W
