CMRDM7590
表面贴装
双P沟道
增强型
硅MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMRDM7590是
增强型双P沟道场效应
晶体管专为高速脉冲放大器
和驱动器应用。这种MOSFET提供低
RDS（ON）和低阈值电压。
标识代码： CW
SOT- 963案例
设备是
无卤
通过设计
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
连续漏电流， TP < 5.0S
功耗
工作和存储结温
热阻
产品特点：
功耗：为125mW
低剖面封装标准：0.5mm （ MAX）
低RDS （ ON）
低阈值电压
逻辑电平兼容
小型SOT- 963表面贴装封装
符号
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
20
8.0
140
180
125
-65到+150
1000
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
° C / W
单位
nA
nA
nA
V
1.0
4.0
5.5
8.0
11
20
1.3
1.0
12
2.7
60
210
5.0
7.0
10
17
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
PER晶体管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
IGSSF ， IGSSR VGS = 5.0V ， VDS = 0
100
IDSS
IDSS
BVDSS
VGS （ TH）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
RDS （ ON）
政府飞行服务队
CRSS
西塞
科斯
吨
花花公子
VDS = 5.0V ， VGS = 0
VDS = 16V ， VGS = 0
VGS = 0时， n = 250μA
VDS = VGS ，ID = 250μA
VGS=4.5V,
VGS=2.5V,
VGS=1.8V,
VGS=1.5V,
ID=100mA
ID=50mA
ID=20mA
ID=10mA
20
0.4
50
100
VGS = 1.2V ， ID = 1.0毫安
VDS = 5.0V ， ID = 125毫安
VDS = 15V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 15V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDS = 15V ， VGS = 0 ， F = 1.0MHz的
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 200毫安
VDD = 10V ， VGS = 4.5V ， ID = 200毫安
R1 （ 2010年8月）
