CMPD2005S
CMPD2005SG*
表面贴装
双串联
高压
硅开关二极管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CMPD2005S
和CMPD2005SG每一个包含两个（2 ）高压
硅开关二极管，通过外延制
平面工艺，环氧树脂模采用SOT- 23表面
贴装封装，专为需要的应用
高电压能力。
标记代码：
CMPD2005S ：
DB5
CMPD2005SG * ： 5SG
SOT- 23 CASE
*
DEVICE IS
无卤
通过设计
最大额定值：
(TA=25°C)
连续反向电压
反向重复峰值电压
平均正向电流
连续正向电流
重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流， TP =是1.0μs
峰值正向浪涌电流， TP = 1.0秒
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VR
VRRM
IO
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
300
350
200
225
625
4.0
1.0
350
-65到+150
357
单位
V
V
mA
mA
mA
A
A
mW
°C
° C / W
每二极管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
最大
IR
VR=280V
100
IR
VR = 280V ， TA = 150℃
100
BVR
IR=100μA
350
VF
IF=20mA
0.87
VF
VF
CT
TRR
IF=100mA
IF=200mA
VR = 0 ， F = 1.0MHz的
IR = IF = 30mA时拍摄。到3.0毫安， RL = 100Ω
1.0
1.25
5.0
50
单位
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
R3 （ 2010年25月）
