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CMOZ1L8 THRU CMOZ47L
表面贴装
LOW LEVEL硅稳压二极管
1.8伏THRU 47伏
250mW的, 5 %的容差
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMOZ1L8系列
低水平的齐纳二极管是一种高品质的电压
稳压器在环氧模超小型封装,
专为需要极低的应用
工作电流和低泄漏。
标记验证码:看标识代码开启
电气特性表
SOD- 523案例
最大额定值:
(TA=25°C)
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
单位
mW
°C
° C / W
250
-65到+150
500
电气特性:
( TA = 25 ℃) , VF = 0.9 MAX @ IF = 10毫安(对于所有类型)
齐纳
电压
VZ @ IZT
V
CMOZ1L8
CMOZ2L0
CMOZ2L2
CMOZ2L4
CMOZ2L5
CMOZ2L7
CMOZ3L0
CMOZ3L3
CMOZ3L6
CMOZ3L9
CMOZ4L3
CMOZ4L7
CMOZ5L1
CMOZ5L6
CMOZ6L2
CMOZ6L8
CMOZ7L5
CMOZ8L2
CMOZ9L1
CMOZ10L
CMOZ11L
1.71
1.90
2.09
2.28
2.37
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.65
9.50
10.45
V
1.8
2.0
2.2
2.4
2.5
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
最大
V
1.89
2.10
2.31
2.52
2.63
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
TEST
当前
IZT
μA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
最大
齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
1400
1400
1400
1400
1500
1500
1600
1600
1700
1600
1600
1500
1500
1400
1200
200
200
200
200
200
200
IR
μA
25
25
25
25
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
反向
当前
@
VR
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
2.0
2.0
3.5
3.5
6.0
6.0
8.0
8.0
L8
L9
L0
M1
M2
M3
M30
M4
M5
M6
M7
M8
M9
M0
N1
N2
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TYPE
记号
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R6 ( 2010年25月)
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