ADG804

V

DD

= 1.65 V± 1.95 V， GND = 0V，除非另有说明。

1

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

ON

)

-40 ° C至

+25°C +85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

DD

1

1.4

2.2

0.1

2.2

4

2.2

4

单位

V

= （典型值）

=最大

=最大

= （典型值）

测试条件/评论

V

DD

= 1.8 V; V

S

= 0 V到V

DD

, I

S

= 10毫安

V

DD

= 1.65 V, V

S

= 0 V到V

DD

,

I

S

= 10毫安;图18

V

DD

= 1.65 V, V

S

= 0.7 V，I

S

= 10毫安

V

DD

= 1.95 V

V

S

= 0.6 V/1.65 V, V

D

= 1.65 V/0.6 V;

图19

V

S

= 0.6/1.65 V, V

D

= 1.65/0.6 V;

图19

V

S

= V

D

= 0.6 V或1.65 V ;图20

在通道之间的电阻匹配

(R

ON

)

漏电流

来源OFF漏我

S

（关闭）

流掉泄漏我

D

（关闭）

渠道渗漏我

D

, I

S

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

C

IN

数字输入电容

动态特性

2

t

Transistion

t

ON

启用

t

关闭

启用

突破前先延时（T

BBM

)

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真（ THD + N） ）

插入损耗

-3 dB带宽

C

S

（关闭）

C

D

（关闭）

C

D

, C

S

（上）

电源要求

I

DD

±0.1

±1

±0.1

±1

±0.1

±1

0.65 V

DD

0.35 V

DD

0.005

±0.1

4

32

40

34

39

8

10

22

12

67

75

0.14

0.08

30

26

115

130

0.003

1.0

4

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

dB典型值

%

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

pF的典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

V

IN

= V

INL

或V

INH

42

40

11

44

41

13

5

R

L

= 50 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V / 0 V ;图21

R

L

= 50 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 Ω / 0 V ;图22

R

L

= 50 , C

L

= 35 pF的

V

S

= 1.5 V ;图22

R

L

= 50 , C

L

= 35 pF的

V

S1

= V

S2

= 1V ;图22

V

S

= 1 V ，R

S

= 0 V ，C

L

= 1 nF的;图24

R

L

= 50 , C

L

= 5 PF， F = 100千赫;

图25

R

L

= 50 , C

L

= 5 PF， F = 100 kHz时，

图27

R

L

= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，

V

S

= 1.2 V P-P

R

L

= 50 , C

L

= 5 PF， F = 100千赫

R

L

= 50 , C

L

= 5 pF的;图26

V

DD

= 1.95 V

数字输入= 0 V或1.95 V

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1

2

温度范围内，Y版本： -40°C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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