N沟道增强型网络场效晶体管
特点
700V ， 3.5A ，R
DS （ ON）
= 3.3 @V
GS
= 10V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
TO- 251 & TO- 252封装。
CED04N7G/CEU04N7G
D
D
G
S
CEU系列
TO-252(D-PAK)
G
D
G
S
CED系列
TO-251(I-PAK)
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
700
单位
V
V
A
A
W
W / C
C
±
30
3.5
14
56
0.45
-55到150
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
- 减免上述25℃
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
极限
2.2
50
单位
C / W
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
冯三2009.July
http://www.cetsemi.com
