CET04N10
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
100V ，3A ，R
DS （ ON）
=在200mΩ @V
GS
= 10V.
R
DS （ ON）
= 280mΩ @V
GS
= 6V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
坚固可靠。
被收购无铅产品。
SOT- 223封装。
D
D
G
SOT-223
D
S
G
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
100
单位
V
V
A
A
W
C
±
20
3
12
3
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到环境
b
符号
R
θJA
极限
42
单位
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
转2 。 2010.Sep 。
http://www.cetsemi.com
