P沟道增强型场效应晶体管
特点
-20V ， -6A ，R
DS （ ON）
= 44mΩ @V
GS
= -4.5V.
R
DS （ ON）
= 65mΩ @V
GS
= -2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流移交能力。
被收购无铅产品。
表面贴装封装。
D
8
CEM2401
D
7
D
6
D
5
SO-8
1
1
S
2
S
3
S
4
G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲
a
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,T
英镑
极限
-20
单位
V
V
A
A
W
C
±
12
-6
-20
2.5
-55到150
最大功率耗散
操作和存储温度范围
热特性
参数
热阻，结到环境
b
符号
R
θJA
极限
50
单位
C / W
详细信息如有变更，恕不另行通知。
1
冯三2010.Mar
http://www.cetsemi.com
